MEMORIAS DIGITALES.....

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MEMORIAS MRAM

www.lbl.gov/.../sabl/2005/March/assets/MRAM.jpg el 01-04-2010, 20:17 (UTC)

"Un equipo de científicos de la Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), en colaboración con científicos del Argonne National Laboratory (EE.UU.) y del laboratorio SPINTEC de Grenoble (Francia) han generado por primera vez unos estados magnéticos microscópicos, denominados "estados vórtex desplazados", que permitirían incrementar la capacidad de los discos duros y de las memorias magnéticas MRAM (que no se borran al apagar el ordenador)."

Desarrollan la memoria más rápida y de más alta densidad del mundo

http://www.pergaminovirtual.com.ar/revista/cgi-bin/hoy/archivos/2006/00000137.shtml el 01-04-2010, 14:20 (UTC)

Toshiba la acaba de presentar y la misma presenta una densidad de 64 megabits combinada con velocidad de lectura y escritura de 200 megabytes por segundo.
Toshiba Corporation anunció una FeRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Ferroeléctrica) recientemente desarrollada que redefine los parámetros de la industria en densidad y velocidad de operación. El nuevo chip lleva el almacenamiento FeRAM al nivel de los 64 megabits y aumenta la velocidad de lectura y escritura a 200 megabytes por segundo, la combinación más avanzada de desempeño y densidad jamás lograda.

Fabricada con tecnología de procesos CMOS de 130 nanómetros, la FeRAM de 64 megabits está basada en la arquitectura chainFeRAMTM de Toshiba, que reduce significativamente el tamaño de la celda de memoria. También, integra un circuito optimizado diseñado para reducir el área de circuitos y el ruido durante la operación de lectura, y ECC, un circuito de detección y corrección de errores de alta velocidad que asegura la confiabilidad de los datos con una operación de alta velocidad, incluso en condiciones de operación severas.

La clave para el incremento en desempeño es la adopción del modo de ráfaga para transferencias de datos de alta velocidad. Su exitosa integración eleva la velocidad de lectura y escritura a 200 megabytes por segundo – la velocidad más rápida de cualquier FeRAM.

La FeRAM combina las características de operación rápida de DRAM y SRAM con la capacidad de la memoria flash de retener los datos mientras está apagada, características que continúan captando la atención de la industria de semiconductores. Toshiba continuará su investigación y desarrollo en FeRAM, con el objetivo de utilizarla eventualmente en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo equipo digital móvil y computadoras de alto desempeño.

Perfil de las nuevas tecnologías:

1) El incremento en la miniaturización del proceso de fabricación genera un menor voltaje de control en la celda de memoria, haciéndola más susceptible al ruido. La miniaturización también requiere de una instalación eléctrica más fina, otra fuente potencial de ruido. La FeRAM de 64 megabits emplea un nuevo diseño de instalación eléctrica en el que los cables contiguos operan en secuencia; uno está apagado cuando el otro está encendido. Esto permite que las líneas desactivadas provean una barrera contra el ruido entre las líneas.

2) La confiabilidad de los datos de escritura se eleva con ECC, un circuito de detección y corrección de errores que detecta y corrige los errores de datos de escritura. El nuevo FeRAM también adopta un nuevo método de control que utiliza un seudo procesamiento de escritura durante la corrección de errores y que realiza nuestras operaciones de escritura y de errores en paralelo. Este método reduce los incrementos en tiempo de procesamiento de escritura resultante de una operación de corrección de errores, reduciéndolo en aproximadamente 15% en lugar de aproximadamente 30%.

3) La nueva FeRAM adopta la transmisión del modo de ráfaga, enviando los datos recolectados en ráfagas para lograr una velocidad de lectura y escritura de 200 megabytes por segundo. Esto es un récord mundial para FeRAM.

Principales especificaciones:

Proceso: CMOS de 130 nanómetros
Densidad: 64 megabits
Tamaño de la celda: 0.7191 um2
Tiempo del ciclo: 60 nanosegundos
Velocidad de Escritura/lectura (ancho de banda): 200 megabytes/segundo
Voltaje de Suministro de Energía: 3.3V, 2.5V

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